창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLB4030PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRLB4030PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
주요제품 | HEXFET® Power MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Additional Assembly Site 13/Jun/2014 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.3m옴 @ 110A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11360pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 370W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001552594 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLB4030PBF | |
관련 링크 | IRLB4, IRLB4030PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
HQCEMM3R3BAH6A | 3.3pF 7200V(7.2kV) 세라믹 커패시터 P90 3838(9797 미터법) 0.380" L x 0.380" W(9.65mm x 9.65mm) | HQCEMM3R3BAH6A.pdf | ||
K561K15C0GF5UH5 | 560pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K561K15C0GF5UH5.pdf | ||
FA24C0G2E822JNU06 | 8200pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.177" L x 0.118" W(4.50mm x 3.00mm) | FA24C0G2E822JNU06.pdf | ||
1812CC473KATME | 0.047µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812CC473KATME.pdf | ||
SR215A472GARTR1 | 4700pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR215A472GARTR1.pdf | ||
V82ZA12PX2855 | VARISTOR 82V 4.5KA DISC 14MM | V82ZA12PX2855.pdf | ||
ECS-110.5-18-7SX-TR | 11.0592MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | ECS-110.5-18-7SX-TR.pdf | ||
445W3XG14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 30pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W3XG14M31818.pdf | ||
TNPW2010294RBEEF | RES SMD 294 OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010294RBEEF.pdf | ||
RNF14FTE806R | RES 806 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTE806R.pdf | ||
CW02B5R000JS70 | RES 5 OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02B5R000JS70.pdf | ||
CMF702M2600FHR6 | RES 2.26M OHM 1.75W 1% AXIAL | CMF702M2600FHR6.pdf |