창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLB8743PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRLB8743PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
주요제품 | 30 V MOSFET Family | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 78A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 54nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5110pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001572884 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLB8743PBF | |
관련 링크 | IRLB8, IRLB8743PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
277LBB400M2DE | 270µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 921.04 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 85°C | 277LBB400M2DE.pdf | ||
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C1825C153J1GACTU | 0.015µF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | C1825C153J1GACTU.pdf | ||
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E52-CA6DN 4M | TEMPERATURE SENSOR | E52-CA6DN 4M.pdf |