창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLD024PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRLD024 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 1.5A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 870pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 4-DIP(0.300", 7.62mm) | |
공급 장치 패키지 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | |
표준 포장 | 100 | |
다른 이름 | *IRLD024PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLD024PBF | |
관련 링크 | IRLD0, IRLD024PBF Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
ELXM3B1VSN271MR30S | 270µF 315V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 7000 Hrs @ 105°C | ELXM3B1VSN271MR30S.pdf | ||
C2012X7T2W223K125AE | 0.022µF 450V 세라믹 커패시터 X7T 0805(2012 미터법) 0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm) | C2012X7T2W223K125AE.pdf | ||
CGA4F2X8R1E154K085AA | 0.15µF 25V 세라믹 커패시터 X8R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGA4F2X8R1E154K085AA.pdf | ||
SR291C103KAT | 10000pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR291C103KAT.pdf | ||
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CMF553R1600FKBF | RES 3.16 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF553R1600FKBF.pdf | ||
OPB993N55Z | SWITCH SLOTTED OPT W/WIRE LEADS | OPB993N55Z.pdf |