창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLHS6242TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRLHS6242PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRLHS6242TR2PBF Saber Model IRLHS6242TR2PBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta), 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.7m옴 @ 8.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 10µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1110pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.98W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 6-PQFN(2x2) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRLHS6242TRPBF-ND SP001573008 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLHS6242TRPBF | |
관련 링크 | IRLHS62, IRLHS6242TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
ECJ-TVB1A104M | 0.1µF Isolated Capacitor 4 Array 10V X5R 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) | ECJ-TVB1A104M.pdf | ||
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VJ0603D6R8CLPAP | 6.8pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D6R8CLPAP.pdf | ||
5KP13A-G | TVS DIODE 13VWM 21.5VC R6 | 5KP13A-G.pdf | ||
CM309E20480000BBIT | 20.48MHz ±50ppm 수정 16pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E20480000BBIT.pdf | ||
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CRCW12062K00JNEAHP | RES SMD 2K OHM 5% 1/2W 1206 | CRCW12062K00JNEAHP.pdf | ||
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RT0805BRE0710R5L | RES SMD 10.5 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRE0710R5L.pdf | ||
CMF5554K900BHR6 | RES 54.9K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5554K900BHR6.pdf |