Infineon Technologies IRLHS6376TRPBF

IRLHS6376TRPBF
제조업체 부품 번호
IRLHS6376TRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
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IRLHS6376TRPBF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IRLHS6376TRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IRLHS6376PBF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
설계 리소스IRLHS6376TR2PBF Saber Model
IRLHS6376TR2PBF Spice Model
PCN 조립/원산지Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3.6A
Rds On(최대) @ Id, Vgs63m옴 @ 3.4A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.1V @ 10µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs2.8nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds270pF @ 25V
전력 - 최대1.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-VDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지6-PQFN(2x2)
표준 포장 4,000
다른 이름IRLHS6376TRPBF-ND
IRLHS6376TRPBFTR
SP001573000
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRLHS6376TRPBF
관련 링크IRLHS63, IRLHS6376TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor
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