창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLI520NPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRLI520NPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Alternate Mold Compound 02/Jul/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Additional Assembly Site 23/Apr/2014 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 30W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB 풀팩(Full Pack) | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRLI520NPBF 94-5830PBF 94-5830PBF-ND SP001576820 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLI520NPBF | |
관련 링크 | IRLI5, IRLI520NPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | IRL6342TRPBF | MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC | IRL6342TRPBF.pdf | |
![]() | 23BR100LFTR | 100 Ohm 0.25W, 1/4W Gull Wing Surface Mount Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Top Adjustment | 23BR100LFTR.pdf | |
![]() | B82498F3121J | 120nH Unshielded Wirewound Inductor 440mA 310 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | B82498F3121J.pdf | |
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![]() | MCR006YRTF1132 | RES SMD 11.3K OHM 1% 1/20W 0201 | MCR006YRTF1132.pdf | |
![]() | PF2205-7K5F1 | RES 7.5K OHM 50W 1% TO220 | PF2205-7K5F1.pdf | |
![]() | IPSU-C0446-6 | Pressure Sensor -14.5 PSI ~ 150 PSI (-100 kPa ~ 1034.21 kPa) Compound Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0 V ~ 5 V Probe | IPSU-C0446-6.pdf |