Infineon Technologies IRLL3303PBF

IRLL3303PBF
제조업체 부품 번호
IRLL3303PBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
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내부 부품 번호EIS-IRLL3303PBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IRLL3303PbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
설계 리소스IRLL3303TR Saber Model
IRLL3303TR Spice Model
PCN 설계/사양SOT-223 FET Wire 04/Jul/2013
SOT-223 Cu Wire 08/Oct/2013
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장튜브
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C4.6A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs31m옴 @ 4.6A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs50nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds840pF @ 25V
전력 - 최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-261-4, TO-261AA
공급 장치 패키지SOT-223
표준 포장 80
다른 이름SP001567232
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRLL3303PBF
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