Infineon Technologies IRLML2502TR
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- FET - 단일
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- MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
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IRLML2502TR 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLML2502TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRLML2502 | |
| 제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| 설계 리소스 | IRLML2502TR Saber Model IRLML2502TR Spice Model | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 4.2A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 740pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | Micro3™/SOT-23 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | *IRLML2502TR IRLML2502 IRLML2502-ND IRLML2502CT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRLML2502TR | |
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