Infineon Technologies IRLML6344TRPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRLML6344TRPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 5A SOT23
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRLML6344TRPBF 가격 및 조달
가능 수량
718150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 92.70107
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRLML6344TRPBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRLML6344TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLML6344TRPBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRLML6344TRPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRLML6344TRPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLML6344TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRLML6344TRPBF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Assembly Site Addition 13/Mar/2015 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 10µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | Micro3™/SOT-23 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | IRLML6344TRPBFTR SP001574050 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRLML6344TRPBF | |
| 관련 링크 | IRLML63, IRLML6344TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRLML6344TRPBF 의 관련 제품
 | 100PK470MEFC16X25 | 470µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | 100PK470MEFC16X25.pdf | |
 | UQCFVA220JAT2A\500 | 22pF 250V 세라믹 커패시터 A 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.24mm) | UQCFVA220JAT2A\500.pdf | |
 | C0603C629D5GACTU | 6.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C629D5GACTU.pdf | |
 | VJ0805D181GLBAR | 180pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D181GLBAR.pdf | |
 | AQ137M750JA1ME | 75pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ137M750JA1ME.pdf | |
| BFC237535303 | 0.03µF Film Capacitor 500V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.181" L x 0.433" W (30.00mm x 11.00mm) | BFC237535303.pdf | |
 | P6SMB51CAHE3/52 | TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC SMB | P6SMB51CAHE3/52.pdf | |
| SIT8008AI-23-30E-2.457600D | OSC XO 3.0V 2.4576MHZ OE | SIT8008AI-23-30E-2.457600D.pdf | |
| SIT8208AI-82-33E-62.500000Y | OSC XO 3.3V 62.5MHZ OE | SIT8208AI-82-33E-62.500000Y.pdf | |
 | IMC1812BN820K | 82µH Unshielded Wirewound Inductor 120mA 7 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812BN820K.pdf | |
| S0603-15NH2B | 15nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 200 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-15NH2B.pdf | |
 | RG1005N-9761-B-T5 | RES SMD 9.76KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005N-9761-B-T5.pdf |
