창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLML6344TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRLML6344TRPBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Assembly Site Addition 13/Mar/2015 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 10µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | Micro3™/SOT-23 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | IRLML6344TRPBFTR SP001574050 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLML6344TRPBF | |
관련 링크 | IRLML63, IRLML6344TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | 100PK470MEFC16X25 | 470µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | 100PK470MEFC16X25.pdf | |
![]() | UQCFVA220JAT2A\500 | 22pF 250V 세라믹 커패시터 A 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.24mm) | UQCFVA220JAT2A\500.pdf | |
![]() | C0603C629D5GACTU | 6.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C629D5GACTU.pdf | |
![]() | VJ0805D181GLBAR | 180pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D181GLBAR.pdf | |
![]() | AQ137M750JA1ME | 75pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ137M750JA1ME.pdf | |
![]() | BFC237535303 | 0.03µF Film Capacitor 500V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.181" L x 0.433" W (30.00mm x 11.00mm) | BFC237535303.pdf | |
![]() | P6SMB51CAHE3/52 | TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC SMB | P6SMB51CAHE3/52.pdf | |
![]() | SIT8008AI-23-30E-2.457600D | OSC XO 3.0V 2.4576MHZ OE | SIT8008AI-23-30E-2.457600D.pdf | |
![]() | SIT8208AI-82-33E-62.500000Y | OSC XO 3.3V 62.5MHZ OE | SIT8208AI-82-33E-62.500000Y.pdf | |
![]() | IMC1812BN820K | 82µH Unshielded Wirewound Inductor 120mA 7 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812BN820K.pdf | |
![]() | S0603-15NH2B | 15nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 200 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-15NH2B.pdf | |
![]() | RG1005N-9761-B-T5 | RES SMD 9.76KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005N-9761-B-T5.pdf |