창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLML6344TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRLML6344TRPBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Assembly Site Addition 13/Mar/2015 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 10µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | Micro3™/SOT-23 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | IRLML6344TRPBFTR SP001574050 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLML6344TRPBF | |
관련 링크 | IRLML63, IRLML6344TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
WBR40-350A | 40µF 350V Aluminum Capacitors Axial, Can 5.1 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | WBR40-350A.pdf | ||
B41458B9229M3 | 22000µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 10 mOhm @ 100Hz 12000 Hrs @ 85°C | B41458B9229M3.pdf | ||
MLP331M300EA1D | 330µF 300V Aluminum Capacitors FlatPack, Tabbed 399 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | MLP331M300EA1D.pdf | ||
C0402C180J5GAC7867 | 18pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C180J5GAC7867.pdf | ||
C1206C431J5GACTU | 430pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C431J5GACTU.pdf | ||
BFC238351472 | 4700pF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.236" W (17.50mm x 6.00mm) | BFC238351472.pdf | ||
XRCGB27M120F3M00R0 | 27.12MHz ±30ppm 수정 6pF 150옴 -30°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | XRCGB27M120F3M00R0.pdf | ||
SIT3808AC-D-28NY | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 33mA | SIT3808AC-D-28NY.pdf | ||
BTS244ZE3062AATMA2 | MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 | BTS244ZE3062AATMA2.pdf | ||
RC1206FR-07274KL | RES SMD 274K OHM 1% 1/4W 1206 | RC1206FR-07274KL.pdf | ||
AA1210JR-0768KL | RES SMD 68K OHM 5% 1/2W 1210 | AA1210JR-0768KL.pdf | ||
TL-W5MB1 5M | Inductive Proximity Sensor 0.197" (5mm) IP67 Module | TL-W5MB1 5M.pdf |