창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLML6402TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRLML6402PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRLML6402TR Saber Model IRLML6402TR Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Addition 17/Dec/2014 Assembly Site Addition 13/Mar/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1515 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 3.7A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 633pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | Micro3™/SOT-23 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | IRLML6402PBFTR SP001552740 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLML6402TRPBF | |
관련 링크 | IRLML64, IRLML6402TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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LKS1V123MESC | 12000µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1000 Hrs @ 85°C | LKS1V123MESC.pdf | ||
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B32653A3105J | 1µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.043" L x 0.413" W (26.50mm x 10.50mm) | B32653A3105J.pdf | ||
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