창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLML9303TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRLML9303TRPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRLML9303TRPBF Saber Model IRLML9303TRPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Assembly Site Addition 13/Mar/2015 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 165m옴 @ 2.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 10µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 160pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | Micro3™/SOT-23 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | IRLML9303TRPBF-ND IRLML9303TRPBFTR SP001558866 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLML9303TRPBF | |
관련 링크 | IRLML93, IRLML9303TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
227LBA160M2BA | 220µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1.13036 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | 227LBA160M2BA.pdf | ||
C0805C689D5GACTU | 6.8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C689D5GACTU.pdf | ||
GJM0335C1E160JB01D | 16pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GJM0335C1E160JB01D.pdf | ||
562RX5FJE102EE102M | 1000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X5F 방사형, 디스크 | 562RX5FJE102EE102M.pdf | ||
ECJ-0EB1E222K | 2200pF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | ECJ-0EB1E222K.pdf | ||
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