창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLR024NTRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRLR024NPbF, IRLU024NPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRLR024NTRPBF Saber Model IRLR024NTRPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1517 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 480pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | IRLR024NPBFTR SP001578872 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLR024NTRPBF | |
관련 링크 | IRLR02, IRLR024NTRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | C2225X153KHRACTU | 0.015µF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.232" L x 0.252" W(5.90mm x 6.40mm) | C2225X153KHRACTU.pdf | |
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![]() | RCH110BNP-120M | 12µH Unshielded Wirewound Inductor 4.2A 33 mOhm Max Radial | RCH110BNP-120M.pdf | |
![]() | CRCW25123M00JNEG | RES SMD 3M OHM 5% 1W 2512 | CRCW25123M00JNEG.pdf | |
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