Infineon Technologies IRLR3410TRRPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRLR3410TRRPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRLR3410TRRPBF 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 451.45900
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRLR3410TRRPBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRLR3410TRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR3410TRRPBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRLR3410TRRPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRLR3410TRRPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR3410TRRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRLR/U3410PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRLR3410TRPBF Saber Model IRLR3410TRPBF Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 105m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 79W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SP001558920 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR3410TRRPBF | |
| 관련 링크 | IRLR341, IRLR3410TRRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRLR3410TRRPBF 의 관련 제품
 | WBR50-50A | 50µF 50V Aluminum Capacitors Axial, Can 7.7 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | WBR50-50A.pdf | |
-14.jpg) | C2012X5R1A336M125AC | 33µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012X5R1A336M125AC.pdf | |
 | C0402C439C4GACTU | 4.3pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C439C4GACTU.pdf | |
 | SR401A333FAR | 0.033µF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.400" L x 0.150" W(10.16mm x 3.81mm) | SR401A333FAR.pdf | |
.jpg) | CGA3E2X7R1H331K | 330pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E2X7R1H331K.pdf | |
 | 36ABGNA3.15 | FUSE 36KV 3.15A | 36ABGNA3.15.pdf | |
 | 1.5SMC300A | TVS DIODE 256VWM 414VC SMD | 1.5SMC300A.pdf | |
| SMA6L7.0A | TVS DIODE 7VWM 12VC SMA6L | SMA6L7.0A.pdf | |
| SIT9122AC-2C2-33E266.666600T | OSC XO 3.3V 266.6666MHZ | SIT9122AC-2C2-33E266.666600T.pdf | |
 | STF6N65M2 | MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP | STF6N65M2.pdf | |
 | EL3H7(C)(TA)-VG | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SSOP | EL3H7(C)(TA)-VG.pdf | |
| Y11214K32000T9L | RES SMD 4.32K OHM 1/4W 2512 | Y11214K32000T9L.pdf |
