창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLR3636TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRL(R,U)3636PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1517 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.8m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3779pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 143W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | IRLR3636TRPBFTR SP001574002 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLR3636TRPBF | |
관련 링크 | IRLR36, IRLR3636TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | RE0402BRE07226KL | RES SMD 226K OHM 0.1% 1/16W 0402 | RE0402BRE07226KL.pdf | |
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![]() | RNCF0805BTE12K4 | RES SMD 12.4K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RNCF0805BTE12K4.pdf | |
![]() | RT0603WRE071K54L | RES SMD 1.54K OHM 1/10W 0603 | RT0603WRE071K54L.pdf | |
![]() | PFC10-510RF1 | RES SMD 510 OHM 1% 25W PFC10 | PFC10-510RF1.pdf | |
![]() | CRCW040222R6FKTD | RES SMD 22.6 OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW040222R6FKTD.pdf |