창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLR3705ZPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRLR3705ZPbF, IRLU3705ZPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRLR3705Z Saber Model IRLR3705Z Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Fab Transfer 15/Jul/2013 Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1517 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 42A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 66nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 130W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | *IRLR3705ZPBF SP001567400 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLR3705ZPBF | |
관련 링크 | IRLR37, IRLR3705ZPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | AOCJY1A-26.000MHZ-F-SW | 26MHz Sine Wave OCXO Oscillator Through Hole 5V | AOCJY1A-26.000MHZ-F-SW.pdf | |
![]() | AIML-0603-R82K-T | 820nH Shielded Multilayer Inductor 35mA 2.1 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | AIML-0603-R82K-T.pdf | |
![]() | CSRN2010FK75L0 | RES SMD 0.075 OHM 1% 1W 2010 | CSRN2010FK75L0.pdf | |
![]() | KTR10EZPF5491 | RES SMD 5.49K OHM 1% 1/8W 0805 | KTR10EZPF5491.pdf | |
![]() | AT0603DRE0716K5L | RES SMD 16.5KOHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRE0716K5L.pdf | |
![]() | CRCW0201402RFKED | RES SMD 402 OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW0201402RFKED.pdf | |
![]() | RT0603CRE07165KL | RES SMD 165KOHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRE07165KL.pdf | |
![]() | PWR4525WR290JE | RES SMD 0.29 OHM 5% 2W 4525 | PWR4525WR290JE.pdf |