창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLR3705ZTRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRLR3705ZPbF, IRLU3705ZPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Fab Transfer 15/Jul/2013 Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 42A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 66nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 130W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | IRLR3705ZTRPBF-ND IRLR3705ZTRPBFTR SP001576986 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLR3705ZTRPBF | |
관련 링크 | IRLR370, IRLR3705ZTRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
380LX183M025K032 | 18000µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 35 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 85°C | 380LX183M025K032.pdf | ||
UMW1H330MDD | 33µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | UMW1H330MDD.pdf | ||
CL10B104KB8NNNC | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10B104KB8NNNC.pdf | ||
08055C332JAT2P | 3300pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055C332JAT2P.pdf | ||
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ERJ-PA3F2431V | RES SMD 2.43K OHM 1% 1/4W 0603 | ERJ-PA3F2431V.pdf | ||
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