창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLR3715ZPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRL(R,U)3715ZPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL 11/May/2016 Mult Dev EOL 15/May/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 49A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.55V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 810pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 40W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | SP001576978 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLR3715ZPBF | |
관련 링크 | IRLR37, IRLR3715ZPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
CBR06C689D5GAC | 6.8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CBR06C689D5GAC.pdf | ||
12101U4R7CAT2A | 4.7pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.49mm) | 12101U4R7CAT2A.pdf | ||
GRM3196T2A430JD01D | 43pF 100V 세라믹 커패시터 T2H 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM3196T2A430JD01D.pdf | ||
FCP1210H183J-G2 | 0.018µF Film Capacitor 50V Polyphenylene Sulfide (PPS) 1210 (3225 Metric) 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) | FCP1210H183J-G2.pdf | ||
160334K63C-F | 0.33µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Radial 0.512" L x 0.157" W (13.00mm x 4.00mm) | 160334K63C-F.pdf | ||
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