창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLR3802PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRLR3802PbF, IRLU3802PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRLR3802PBF Saber Model IRLR3802PBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 84A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.5m옴 @ 15A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.9V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2490pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 88W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | *IRLR3802PBF SP001573140 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLR3802PBF | |
관련 링크 | IRLR3, IRLR3802PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 416F44035AKR | 44MHz ±30ppm 수정 8pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F44035AKR.pdf | |
![]() | 520M25DA26M0000 | 26MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 1.8V 2.5mA | 520M25DA26M0000.pdf | |
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