창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLR6225TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRLR6225PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRLR6225PBF Saber Model IRLR6225PBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 21A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3770pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 63W | |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | IRLR6225TRPBFTR SP001573984 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLR6225TRPBF | |
관련 링크 | IRLR62, IRLR6225TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
LP332M025A1P3 | 3300µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 151 mOhm @ 120Hz 1000 Hrs @ 105°C | LP332M025A1P3.pdf | ||
LDM2G221MERAGA | 220µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | LDM2G221MERAGA.pdf | ||
SR212A7R5CARTR1 | 7.5pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR212A7R5CARTR1.pdf | ||
VJ0805D330GLCAP | 33pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D330GLCAP.pdf | ||
RPER71H682K2M1A03A | 6800pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) | RPER71H682K2M1A03A.pdf | ||
1N4736A_T50R | DIODE ZENER 6.8V 1W DO41 | 1N4736A_T50R.pdf | ||
OP266B | Infrared (IR) Emitter 890nm 1.8V 50mA 18° T-1 | OP266B.pdf | ||
4922R-18J | 27µH Unshielded Wirewound Inductor 1.48A 179 mOhm Max 2-SMD | 4922R-18J.pdf | ||
SHS3S110A | SS TIMR INTERVAL, 3S, 110VAC | SHS3S110A.pdf | ||
ERA-2APB3240X | RES SMD 324 OHM 0.1% 1/16W 0402 | ERA-2APB3240X.pdf | ||
RG1005N-1821-W-T5 | RES SMD 1.82K OHM 1/16W 0402 | RG1005N-1821-W-T5.pdf | ||
RNF18FTD95K3 | RES 95.3K OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD95K3.pdf |