창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLR6225TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRLR6225PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRLR6225PBF Saber Model IRLR6225PBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 21A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3770pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 63W | |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | IRLR6225TRPBFTR SP001573984 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLR6225TRPBF | |
관련 링크 | IRLR62, IRLR6225TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | GRM033R71E101KA01D | 100pF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM033R71E101KA01D.pdf | |
![]() | CC1206ZKY5V6BB226 | 22µF 10V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CC1206ZKY5V6BB226.pdf | |
![]() | HV2220Y102KXVATHV | 1000pF 4000V(4kV) 세라믹 커패시터 X7R 2220(5650 미터법) 0.220" L x 0.200" W(5.59mm x 5.08mm) | HV2220Y102KXVATHV.pdf | |
![]() | LD061A6R8DAB2A | 6.8pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | LD061A6R8DAB2A.pdf | |
![]() | VJ0805D361MXXAT | 360pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D361MXXAT.pdf | |
![]() | B32654A3475J | 4.7µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.240" L x 0.709" W (31.50mm x 18.00mm) | B32654A3475J.pdf | |
![]() | SIT9003AC-2-25DQ | 1MHz ~ 110MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 4.1mA | SIT9003AC-2-25DQ.pdf | |
![]() | 1PMT5933BE3/TR7 | DIODE ZENER 22V 3W DO216AA | 1PMT5933BE3/TR7.pdf | |
![]() | DMP26M7UFG-13 | MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8 | DMP26M7UFG-13.pdf | |
![]() | IMC1812ES221J | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 10 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812ES221J.pdf | |
![]() | RP73D2B324KBTG | RES SMD 324K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B324KBTG.pdf | |
![]() | RR03J6K8TB | RES 6.80K OHM 3W 5% AXIAL | RR03J6K8TB.pdf |