창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLR7807ZPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRLR7807ZPbF, IRLU7807ZPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRLR7807ZPBF Saber Model IRLR7807ZPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13.8m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.25V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 780pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 40W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | SP001553220 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLR7807ZPBF | |
관련 링크 | IRLR78, IRLR7807ZPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | MHQ0402P4N1BT000 | 4.1nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 500 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MHQ0402P4N1BT000.pdf | |
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![]() | RT1206WRB07100RL | RES SMD 100 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRB07100RL.pdf | |
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![]() | Y000710R0000A9L | RES 10 OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y000710R0000A9L.pdf | |
![]() | P51-200-G-G-P-5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Vented Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-200-G-G-P-5V-000-000.pdf |