Infineon Technologies IRLR7807ZPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRLR7807ZPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRLR7807ZPBF 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 434.90275
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRLR7807ZPBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRLR7807ZPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR7807ZPBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRLR7807ZPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRLR7807ZPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLR7807ZPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRLR7807ZPbF, IRLU7807ZPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| 설계 리소스 | IRLR7807ZPBF Saber Model IRLR7807ZPBF Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13.8m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.25V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 780pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 40W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | SP001553220 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRLR7807ZPBF | |
| 관련 링크 | IRLR78, IRLR7807ZPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRLR7807ZPBF 의 관련 제품
 | KHC101E475Z55R0T00+000 | 4.7µF 100V 세라믹 커패시터 Y5U(E) 2220(5750 미터법) 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) | KHC101E475Z55R0T00+000.pdf | |
| MKP383275025JCA2B0 | 7500pF Film Capacitor 125V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) | MKP383275025JCA2B0.pdf | |
.jpg) | 5.0SMLJ75CA-TP | TVS DIODE 75VWM 121VC DO214AB | 5.0SMLJ75CA-TP.pdf | |
 | ASTMUPCV-33-3.6864MHZ-LY-E-T3 | 3.6864MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCV-33-3.6864MHZ-LY-E-T3.pdf | |
 | SSM3K301T(TE85L,F) | MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM | SSM3K301T(TE85L,F).pdf | |
 | SPD74R-473M | 47µH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 260 mOhm Max Nonstandard | SPD74R-473M.pdf | |
.jpg) | RC1210FR-0736R5L | RES SMD 36.5 OHM 1% 1/2W 1210 | RC1210FR-0736R5L.pdf | |
.jpg) | CRCW06035R62FNTA | RES SMD 5.62 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06035R62FNTA.pdf | |
 | EXB-2HV332JV | RES ARRAY 8 RES 3.3K OHM 1506 | EXB-2HV332JV.pdf | |
 | LR2F1K6 | RES 1.60K OHM 3/4W 1% AXIAL | LR2F1K6.pdf | |
 | TBH25P470RJE | RES 470 OHM 25W 5% TO220 | TBH25P470RJE.pdf | |
| SQ82183P12NF | 860MHz, 1.9GHz GSM Panel RF Antenna 824MHz ~ 896MHz, 1.85GHz ~ 1.99GHz 3.5dBi Connector, N Female Chassis Mount | SQ82183P12NF.pdf |
