창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLR8259PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRL(R,U)8259PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 57A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.7m옴 @ 21A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 25µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 900pF @ 13V | |
전력 - 최대 | 48W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | SP001558980 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLR8259PBF | |
관련 링크 | IRLR8, IRLR8259PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
ABM10AIG-37.000MHZ-D2Z-T3 | 37MHz ±20ppm 수정 10pF 40옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM10AIG-37.000MHZ-D2Z-T3.pdf | ||
ABM8AIG-14.31818MHZ-12-2Z-T3 | 14.31818MHz ±20ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8AIG-14.31818MHZ-12-2Z-T3.pdf | ||
416F250X2CAT | 25MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F250X2CAT.pdf | ||
2EZ180D10E3/TR12 | DIODE ZENER 180V 2W DO204AL | 2EZ180D10E3/TR12.pdf | ||
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