창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLR9343TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRL(R,U)9343 (-701) PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRLR9343PBF Saber Model IRLR9343PBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Leadframe Update 02/Jun/2015 Leadframe Retraction 03/Jun/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 02/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 105m옴 @ 3.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 660pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 79W | |
작동 온도 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | SP001552884 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLR9343TRPBF | |
관련 링크 | IRLR93, IRLR9343TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | CMF55118K00BER670 | RES 118K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF55118K00BER670.pdf | |
![]() | HMC384LP4TR | RF Amplifier IC General Purpose 2.05GHz ~ 2.25GHz 24-QFN (4x4) | HMC384LP4TR.pdf | |
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