창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLR9343TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRL(R,U)9343 (-701) PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRLR9343PBF Saber Model IRLR9343PBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Leadframe Update 02/Jun/2015 Leadframe Retraction 03/Jun/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 02/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 105m옴 @ 3.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 660pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 79W | |
작동 온도 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | SP001552884 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLR9343TRPBF | |
관련 링크 | IRLR93, IRLR9343TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
06035U560FAT2A | 56pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035U560FAT2A.pdf | ||
1812CC473MAT1A | 0.047µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812CC473MAT1A.pdf | ||
1812WC272KAT1A | 2700pF 2500V(2.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812WC272KAT1A.pdf | ||
416F27033ATT | 27MHz ±30ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27033ATT.pdf | ||
S1AHE3_A/I | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC | S1AHE3_A/I.pdf | ||
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MLG1005S68NJT000 | 68nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 1.5 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | MLG1005S68NJT000.pdf | ||
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