창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLS3036TRL7PP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRLS3036-L7 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
주요제품 | Automatic Opening Systems | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1519 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 240A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9m옴 @ 180A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 160nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11270pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 380W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK(7-Lead) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRLS3036TRL7PPTR SP001574154 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLS3036TRL7PP | |
관련 링크 | IRLS303, IRLS3036TRL7PP Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | VJ0402D2R7CLXAP | 2.7pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D2R7CLXAP.pdf | |
![]() | VJ0805D821MLAAR | 820pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D821MLAAR.pdf | |
![]() | P30R473K1-F | 0.047µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.150" Dia x 0.290" L(3.81mm x 7.37mm) | P30R473K1-F.pdf | |
![]() | M20G222J1 | 2200pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.150" W(5.08mm x 3.81mm) | M20G222J1.pdf | |
![]() | SIT2024AM-S2-33E-14.745600D | OSC XO 3.3V 14.7456MHZ | SIT2024AM-S2-33E-14.745600D.pdf | |
![]() | SIT1602AIE7-30S | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3V 4.5mA Standby | SIT1602AIE7-30S.pdf | |
![]() | RFBPF1608060K88Q1C | RF FILTER | RFBPF1608060K88Q1C.pdf | |
![]() | P1812-104K | 100µH Unshielded Inductor 180mA 4.32 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | P1812-104K.pdf | |
![]() | EL817(B)-V | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-DIP | EL817(B)-V.pdf | |
![]() | RC1608J915CS | RES SMD 9.1M OHM 5% 1/10W 0603 | RC1608J915CS.pdf | |
![]() | AF1210JR-071M1L | RES SMD 1.1M OHM 5% 1/2W 1210 | AF1210JR-071M1L.pdf | |
![]() | TNPU06031K40AZEN00 | RES SMD 1.4KOHM 0.05% 1/10W 0603 | TNPU06031K40AZEN00.pdf |