Infineon Technologies IRLS4030TRL7PP

IRLS4030TRL7PP
제조업체 부품 번호
IRLS4030TRL7PP
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
Datesheet 다운로드
다운로드
IRLS4030TRL7PP 가격 및 조달

가능 수량

1950 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 2,659.82745
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of IRLS4030TRL7PP, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRLS4030TRL7PP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLS4030TRL7PP, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
IRLS4030TRL7PP 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IRLS4030TRL7PP 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IRLS4030TRL7PP
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IRLS4030-7PPBF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
설계 리소스IRLS4030-7PPBF Saber Model
IRLS4030-7PPBF Spice Model
PCN 조립/원산지Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
카탈로그 페이지 1519 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C190A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.9m옴 @ 110A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs140nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds11490pF @ 50V
전력 - 최대370W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB
공급 장치 패키지D2PAK(7-Lead)
표준 포장 800
다른 이름IRLS4030TRL7PPTR
SP001569054
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)IRLS4030TRL7PP
관련 링크IRLS403, IRLS4030TRL7PP Datasheet, Infineon Technologies Distributor
IRLS4030TRL7PP 의 관련 제품
560µF 4V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C MAL218097706E3.pdf
220µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2500 Hrs @ 125°C MAL214699708E3.pdf
3.6pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D3R6CLXAP.pdf
18pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D180KLAAJ.pdf
TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC SMA P4SMA27AHE3/61.pdf
20.48MHz ±30ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 402F20433CAT.pdf
IGBT 600V 63A 208W TO247 HGTG30N60C3D.pdf
RES CHAS MNT 470 OHM 5% 50W HSA50470RJ.pdf
RES SMD 158K OHM 1% 1/8W 0805 RT0805FRE07158KL.pdf
RES SMD 294K OHM 0.25% 1/4W 1206 AT1206CRD07294KL.pdf
RES SMD 249 OHM 0.1% 1/10W 0603 TNPW0603249RBETA.pdf
RES 22K OHM 10W 1% AXIAL 40F22K.pdf