창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLSL3036PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRLS(L)3036 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 | |
PCN 조립/원산지 | TO-262 FET 04/Jul/2013 Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 165A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 140nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11210pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 380W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001559028 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLSL3036PBF | |
관련 링크 | IRLSL3, IRLSL3036PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
B41858C6337M | 330µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 125 mOhm @ 10kHz 5000 Hrs @ 105°C | B41858C6337M.pdf | ||
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![]() | HCPL-3150#060 | 600mA Gate Driver Optical Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-DIP | HCPL-3150#060.pdf | |
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![]() | RSF1FB19R1 | RES MO 1W 19.1 OHM 1% AXIAL | RSF1FB19R1.pdf | |
![]() | CPR10240R0KE10 | RES 240 OHM 10W 10% RADIAL | CPR10240R0KE10.pdf | |
![]() | 59135-4-T-03-F | Magnetic Reed Switch Magnet SPST-NC Wire Leads Probe | 59135-4-T-03-F.pdf | |
![]() | P51-3000-S-Y-I12-5V-000-000 | Pressure Sensor 3000 PSI (20684.27 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-3000-S-Y-I12-5V-000-000.pdf |