창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLZ24NSPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRLZ24NSPbF, IRLZ24NLPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRLZ24NS Saber Model IRLZ24NS Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 11/Nov/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 480pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRLZ24NSPBF AUXDILZ24NS AUXDILZ24NS-ND SP001552914 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLZ24NSPBF | |
관련 링크 | IRLZ2, IRLZ24NSPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | CD30FD242JO3F | 2400pF Mica Capacitor 500V Radial 0.772" L x 0.252" W (19.60mm x 6.40mm) | CD30FD242JO3F.pdf | |
P4KE12A-G | TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO41 | P4KE12A-G.pdf | ||
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![]() | RCP1206W39R0GEB | RES SMD 39 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206W39R0GEB.pdf | |
![]() | CRCW0201120RJNED | RES SMD 120 OHM 5% 1/20W 0201 | CRCW0201120RJNED.pdf | |
![]() | RCS0603750RFKEA | RES SMD 750 OHM 1% 1/4W 0603 | RCS0603750RFKEA.pdf |