창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLZ44NSPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRLZ44NS/LPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRLZ44NSPBF Saber Model IRLZ44NSPBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRLZ44NSPBF 94-2312PBF 94-2312PBF-ND SP001559038 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRLZ44NSPBF | |
관련 링크 | IRLZ4, IRLZ44NSPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | CPR0539R00KE31 | RES 39 OHM 5W 10% RADIAL | CPR0539R00KE31.pdf | |
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![]() | 30 INCH-D-4V | Pressure Sensor ±1.08 PSI (±7.48 kPa) Differential Male - 0.19" (4.8mm) Tube, Dual 0.25 V ~ 4.25 V 4-SIP Module | 30 INCH-D-4V.pdf |