창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFE180N20 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXFE180N20 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 158A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 380nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 500W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 10 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXFE180N20 | |
관련 링크 | IXFE1, IXFE180N20 Datasheet, IXYS Distributor |
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![]() | VJ1210A182JBBAT4X | 1800pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A182JBBAT4X.pdf | |
![]() | VJ0805D300MXPAJ | 30pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D300MXPAJ.pdf | |
![]() | C1210C562F1GALTU | 5600pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C562F1GALTU.pdf | |
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![]() | T86E227M6R3EASL | 220µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2917 (7343 Metric) 300 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T86E227M6R3EASL.pdf | |
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![]() | DSC1121NE5-066.6660 | 66.666MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | DSC1121NE5-066.6660.pdf | |
![]() | MLP2520H2R2MT0S1 | 2.2µH Shielded Multilayer Inductor 1.3A 117 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | MLP2520H2R2MT0S1.pdf | |
![]() | ERJ-S03F20R5V | RES SMD 20.5 OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-S03F20R5V.pdf | |
![]() | 4-2176074-2 | RES SMD 15.4KOHM 0.5% 1/32W 0201 | 4-2176074-2.pdf | |
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