IXYS IXFE55N50

IXFE55N50
제조업체 부품 번호
IXFE55N50
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B
Datesheet 다운로드
다운로드
IXFE55N50 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 30,606.30000
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of IXFE55N50, we specialize in all series IXYS electronic components. IXFE55N50 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFE55N50, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
IXFE55N50 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IXFE55N50 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IXFE55N50
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IXFE(55,50)N50
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체IXYS
계열HiPerFET™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)500V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C47A
Rds On(최대) @ Id, Vgs90m옴 @ 27.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.5V @ 8mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs330nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds9400pF @ 25V
전력 - 최대500W
작동 온도-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형섀시 실장
패키지/케이스SOT-227-4, miniBLOC
공급 장치 패키지SOT-227B
표준 포장 10
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)IXFE55N50
관련 링크IXFE, IXFE55N50 Datasheet, IXYS Distributor
IXFE55N50 의 관련 제품
22µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can 12.06 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C SK220M450ST.pdf
0.1µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 1.326 kOhm 2000 Hrs @ 85°C SMG100VBR1M5X11LL.pdf
0.068µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) 12062C683KAT2A.pdf
12pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) 04025A120FAJ2A.pdf
4700pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) VJ1812Y472KBCAT4X.pdf
0.015µF Film Capacitor 250V 630V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.193" W (12.50mm x 4.90mm) BFC236968153.pdf
TVS DIODE 3.3VWM/12VWM 6UDFN ESD7124MUTBG.pdf
TVS DIODE 6VWM 10.3VC SMC SMCJ6.0A-13.pdf
DIODE ZENER SOD123 DDZ9696Q-7.pdf
RES SMD 620 OHM 2% 11W 1206 RCP1206W620RGS2.pdf
RF Attenuator 5dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) E-TA2012 T 5DB N5.pdf
CMOS with Processor Image Sensor 640H x 480V 4.8µm x 4.8µm 48-LCC (14.22x14.22) NOIP1SN0300A-QDI.pdf