창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFH150N20T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXFx150N20T | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, TrenchT2™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 177nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 890W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXFH150N20T | |
관련 링크 | IXFH1, IXFH150N20T Datasheet, IXYS Distributor |
GRM1885C2A4R4CZ01D | 4.4pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C2A4R4CZ01D.pdf | ||
BFC2370FH393 | 0.039µF Film Capacitor 160V 400V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | BFC2370FH393.pdf | ||
5KP12CA-B | TVS DIODE 12VWM 19.9VC P600 | 5KP12CA-B.pdf | ||
ASTXR-12-19.200MHZ-512242-T | 19.2MHz Clipped Sine Wave TCXO Oscillator Surface Mount 1.8V 1.5mA | ASTXR-12-19.200MHZ-512242-T.pdf | ||
CZRFR52C4V3-HF | DIODE ZENER 4.3V 200MW 1005 | CZRFR52C4V3-HF.pdf | ||
IMP1-3E0-2D0-1L0-4LL0-00-A | IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | IMP1-3E0-2D0-1L0-4LL0-00-A.pdf | ||
MCU08050C1101FP500 | RES SMD 1.1K OHM 1% 1/5W 0805 | MCU08050C1101FP500.pdf | ||
RP73D2A2K55BTDF | RES SMD 2.55K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A2K55BTDF.pdf | ||
CMF608K3500BHR6 | RES 8.35K OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF608K3500BHR6.pdf | ||
Y0101104K000B0L | RES 104K OHM 1W 0.1% RADIAL | Y0101104K000B0L.pdf | ||
GX-H8B-P | Inductive Proximity Sensor 0.083" (2.1mm) IP68 Module | GX-H8B-P.pdf | ||
310000451020 | HERMETIC THERMOSTAT | 310000451020.pdf |