창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFH20N100P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXF(H,T)20N100P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, PolarP2™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 570m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 126nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 660W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXFH20N100P | |
관련 링크 | IXFH2, IXFH20N100P Datasheet, IXYS Distributor |
UPM1V220MDD1TD | 22µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPM1V220MDD1TD.pdf | ||
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![]() | GRM0335C1H2R6BA01D | 2.6pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H2R6BA01D.pdf | |
![]() | K472K20C0GF5UL2 | 4700pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | K472K20C0GF5UL2.pdf | |
![]() | VJ0805D2R7CLBAC | 2.7pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D2R7CLBAC.pdf | |
![]() | SIT1602BIF31-XXE-10.000000X | 10MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.5 V ~ 3.3 V 4.5mA Enable/Disable | SIT1602BIF31-XXE-10.000000X.pdf | |
![]() | ASVMPC-133.333MHZ-LR-T | 133.333MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | ASVMPC-133.333MHZ-LR-T.pdf | |
![]() | SC108-331 | 330µH Unshielded Wirewound Inductor 900mA 600 mOhm Max Nonstandard | SC108-331.pdf | |
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