창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFH230N10T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXFH230N10T | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 230A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.7m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 250nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 650W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXFH230N10T | |
관련 링크 | IXFH2, IXFH230N10T Datasheet, IXYS Distributor |
APSG160ELL561MHB5S | 560µF 16V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 14 mOhm 20000 Hrs @ 105°C | APSG160ELL561MHB5S.pdf | ||
![]() | 0508ZC105MAT9W | 1µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0508(1220 미터법) 0.050" L x 0.079" W(1.27mm x 2.00mm) | 0508ZC105MAT9W.pdf | |
![]() | B37979G5101J051 | 100pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.217" L x 0.197" W(5.50mm x 5.00mm) | B37979G5101J051.pdf | |
![]() | JJN-600 | FUSE CRTRDGE 600A 300VAC/160VDC | JJN-600.pdf | |
![]() | SI7812DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK | SI7812DN-T1-GE3.pdf | |
![]() | 4922-14J | 12µH Unshielded Wirewound Inductor 2.24A 79 mOhm Max 2-SMD | 4922-14J.pdf | |
![]() | 5-1415534-9 | PE015005 | 5-1415534-9.pdf | |
![]() | CR0402-FX-1182GLF | RES SMD 11.8K OHM 1% 1/16W 0402 | CR0402-FX-1182GLF.pdf | |
![]() | RG1608P-3832-W-T1 | RES SMD 38.3K OHM 1/10W 0603 | RG1608P-3832-W-T1.pdf | |
![]() | H880R6BZA | RES 80.6 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H880R6BZA.pdf | |
![]() | TA303PA4K70JE | RES 4.7K OHM 3W 5% RADIAL | TA303PA4K70JE.pdf | |
![]() | HMC579 | RF IC Frequency Multiplier VSAT 32GHz ~ 46GHz Die | HMC579.pdf |