IXYS IXFJ26N50P3
IXFJ26N50P3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 3,861.00000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IXFJ26N50P3, we specialize in all series IXYS electronic components. IXFJ26N50P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFJ26N50P3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IXFJ26N50P3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IXFJ26N50P3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFJ26N50P3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IXFJ26N50P3 Preliminary | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 265m옴 @ 13A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2220pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 180W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IXFJ26N50P3 | |
| 관련 링크 | IXFJ2, IXFJ26N50P3 Datasheet, IXYS Distributor | |
IXFJ26N50P3 의 관련 제품
 | 80D332P035KA2DE3 | 3300µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C | 80D332P035KA2DE3.pdf | |
-55.jpg) | C1608C0G1H471G080AA | 470pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608C0G1H471G080AA.pdf | |
-14.jpg) | C3216X8R2A154M160AA | 0.15µF 100V 세라믹 커패시터 X8R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C3216X8R2A154M160AA.pdf | |
 | CD19FD512GO3F | 5100pF Mica Capacitor 500V Radial 0.709" L x 0.370" W (18.00mm x 9.40mm) | CD19FD512GO3F.pdf | |
 | 059-0149 | FUSE CRTRDGE 15A 440VAC NON STD | 059-0149.pdf | |
| 402F50012IDT | 50MHz ±10ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F50012IDT.pdf | |
 | AOT8N65 | MOSFET N-CH 650V 8A TO220 | AOT8N65.pdf | |
| 195C100 | 1mH Unshielded Inductor 100A 3.6 mOhm Nonstandard | 195C100.pdf | |
.jpg) | RT0805WRE074K42L | RES SMD 4.42KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRE074K42L.pdf | |
 | MCA12060D9769BP100 | RES SMD 97.6 OHM 0.1% 1/4W 1206 | MCA12060D9769BP100.pdf | |
 | MSP06A0322R0GEJ | RES ARRAY 3 RES 22 OHM 6SIP | MSP06A0322R0GEJ.pdf | |
| MS46SR-20-260-Q1-30X-30R-NO-FN | SYSTEM | MS46SR-20-260-Q1-30X-30R-NO-FN.pdf |
