창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFK180N10 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXF(K,X)180N10 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 90A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 390nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 560W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
공급 장치 패키지 | TO-264AA(IXFK) | |
표준 포장 | 25 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXFK180N10 | |
관련 링크 | IXFK1, IXFK180N10 Datasheet, IXYS Distributor |
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![]() | SMLJ6.0CA | TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AB | SMLJ6.0CA.pdf | |
![]() | ATS049BSM-1E | 4.9152MHz ±30ppm 수정 18pF 120옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS049BSM-1E.pdf | |
![]() | DF10ST-G | RECTIFIER BRIDGE 1.0A 1000V DF | DF10ST-G.pdf | |
![]() | NTF5P03T3G | MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 | NTF5P03T3G.pdf | |
![]() | RMCF1206FT392R | RES SMD 392 OHM 1% 1/4W 1206 | RMCF1206FT392R.pdf | |
![]() | ERJ-S1DF4303U | RES SMD 430K OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF4303U.pdf | |
![]() | CMF652M5000FHR6 | RES 2.5M OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF652M5000FHR6.pdf | |
![]() | ATT-0277-04-SMA-02 | RF Attenuator 4dB ±0.3dB 0Hz ~ 8GHz 2W SMA In-Line Module | ATT-0277-04-SMA-02.pdf |