창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFL210N30P3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXFL210N30P3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 108A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 105A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 268nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 16200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 520W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
공급 장치 패키지 | ISOPLUS264™ | |
표준 포장 | 25 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXFL210N30P3 | |
관련 링크 | IXFL21, IXFL210N30P3 Datasheet, IXYS Distributor |
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![]() | SQCB7M1R2BAJWE | 1.2pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB7M1R2BAJWE.pdf | |
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![]() | NX3225GA-20.000M-STD-CRG-2 | 20MHz ±20ppm 수정 8pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | NX3225GA-20.000M-STD-CRG-2.pdf | |
![]() | ASTMHTV-48.000MHZ-XC-E-T | 48MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTV-48.000MHZ-XC-E-T.pdf | |
![]() | HKQ0603W3N6C-T | 3.6nH Unshielded Multilayer Inductor 500mA 200 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | HKQ0603W3N6C-T.pdf | |
![]() | RT1206BRC07178KL | RES SMD 178K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRC07178KL.pdf | |
![]() | CRA06S08347R0FTA | RES ARRAY 4 RES 47 OHM 1206 | CRA06S08347R0FTA.pdf | |
![]() | RNF14FTC28K0 | RES 28K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTC28K0.pdf | |
![]() | RNF14FTC3K92 | RES 3.92K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTC3K92.pdf | |
![]() | MOF4WVJT-83-1K | RES 1K OHM 4W 5% AXIAL | MOF4WVJT-83-1K.pdf | |
![]() | CMF602K0000BEEB | RES 2K OHM 1W .1% AXIAL | CMF602K0000BEEB.pdf |