창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFN100N20 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXFK90N20, IXFN(100,106)N20 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 380nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 520W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 10 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXFN100N20 | |
관련 링크 | IXFN1, IXFN100N20 Datasheet, IXYS Distributor |
TMK063BJ472KP-F | 4700pF 25V 세라믹 커패시터 X5R 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | TMK063BJ472KP-F.pdf | ||
K682K15X7RH5UK2 | 6800pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K682K15X7RH5UK2.pdf | ||
416F30011CDR | 30MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30011CDR.pdf | ||
1N5362E3/TR8 | DIODE ZENER 28V 5W T18 | 1N5362E3/TR8.pdf | ||
APT25GLQ120JCU2 | PWR MOD IGBT4 1200V SOT227 | APT25GLQ120JCU2.pdf | ||
0925-124H | 120µH Shielded Molded Inductor 88mA 5.8 Ohm Max Axial | 0925-124H.pdf | ||
MCT0603MD3321BP100 | RES SMD 3.32K OHM 0.1% 1/8W 0603 | MCT0603MD3321BP100.pdf | ||
AR0805FR-072K67L | RES SMD 2.67K OHM 1% 1/8W 0805 | AR0805FR-072K67L.pdf | ||
TNPW060371K5BETA | RES SMD 71.5KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060371K5BETA.pdf | ||
RW1S0BAR036J | RES SMD 0.036 OHM 5% 1W J LEAD | RW1S0BAR036J.pdf | ||
Y09430R10000F0L | RES 0.1 OHM 10W 1% RADIAL | Y09430R10000F0L.pdf | ||
ATT-0290-12-HEX-02 | RF Attenuator 12dB ±0.5dB 0Hz ~ 18GHz 2W HEX In-Line Module | ATT-0290-12-HEX-02.pdf |