창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFN20N120P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXFN20N120P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | Polar™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 570m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 193nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11100pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 595W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 10 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXFN20N120P | |
관련 링크 | IXFN2, IXFN20N120P Datasheet, IXYS Distributor |
MKP385556085JPI4T0 | 5.6µF Film Capacitor 300V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 1.181" W (42.00mm x 30.00mm) | MKP385556085JPI4T0.pdf | ||
AT-5.000MAHE-T | 5MHz ±30ppm 수정 12pF 150옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT-5.000MAHE-T.pdf | ||
416F374X2ADT | 37.4MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F374X2ADT.pdf | ||
AZ23C12-E3-08 | DIODE ZENER 12V 300MW SOT23 | AZ23C12-E3-08.pdf | ||
SMBJ5920C/TR13 | DIODE ZENER 6.2V 2W SMBJ | SMBJ5920C/TR13.pdf | ||
RMCF0402FT3K00 | RES SMD 3K OHM 1% 1/16W 0402 | RMCF0402FT3K00.pdf | ||
RCG06031M00FKEA | RES SMD 1M OHM 1% 1/10W 0603 | RCG06031M00FKEA.pdf | ||
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RT0603FRD07649KL | RES SMD 649K OHM 1% 1/10W 0603 | RT0603FRD07649KL.pdf | ||
CP00103R000JB14 | RES 3 OHM 10W 5% AXIAL | CP00103R000JB14.pdf | ||
SFR2500001200JR500 | RES 120 OHM 0.4W 5% AXIAL | SFR2500001200JR500.pdf | ||
CMF553M1600FKBF | RES 3.16M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF553M1600FKBF.pdf |