창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFN27N80 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXFK(27,25)N80, IXFN(27,25)N80 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 13.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 400nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9740pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 520W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | 468185 Q1653251 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXFN27N80 | |
관련 링크 | IXFN, IXFN27N80 Datasheet, IXYS Distributor |
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![]() | 416F380XXALT | 38MHz ±15ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F380XXALT.pdf | |
![]() | S1812-103F | 10µH Shielded Inductor 333mA 1.8 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | S1812-103F.pdf | |
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![]() | RT2512CKB0790K9L | RES SMD 90.9KOHM 0.25% 3/4W 2512 | RT2512CKB0790K9L.pdf | |
![]() | RSF12JB3R00 | RES MO 1/2W 3 OHM 5% AXIAL | RSF12JB3R00.pdf | |
![]() | CMF6081K920BER6 | RES 81.92K OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF6081K920BER6.pdf | |
![]() | Y006212R5000A0L | RES 12.5 OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y006212R5000A0L.pdf |