창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFN32N100P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXFN32N100P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | Polar™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 320m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 225nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 690W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 10 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXFN32N100P | |
관련 링크 | IXFN3, IXFN32N100P Datasheet, IXYS Distributor |
EKMR201VSN152MA30S | 1500µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 105°C | EKMR201VSN152MA30S.pdf | ||
GRM21BR71A106ME51L | 10µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM21BR71A106ME51L.pdf | ||
GJM1555C1H5R9WB01D | 5.9pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GJM1555C1H5R9WB01D.pdf | ||
MBR30150CTL | DIODE SCHOTTKY 150V TO220AB | MBR30150CTL.pdf | ||
DMTH3004LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 21A TO252 | DMTH3004LK3-13.pdf | ||
S0402-12NF2D | 12nH Unshielded Wirewound Inductor 475mA 220 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-12NF2D.pdf | ||
2981729 | RELAY SAFETY | 2981729.pdf | ||
MCR10ERTF7151 | RES SMD 7.15K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10ERTF7151.pdf | ||
TNPW120623K7BEEN | RES SMD 23.7K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120623K7BEEN.pdf | ||
SM4124FT953R | RES SMD 953 OHM 1% 2W 4124 | SM4124FT953R.pdf | ||
766165191APTR7 | RES NTWRK 28 RES MULT OHM 16SOIC | 766165191APTR7.pdf | ||
CPR05330R0JB14 | RES 330 OHM 5W 5% RADIAL | CPR05330R0JB14.pdf |