창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFN56N90P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXFN56N90P | |
주요제품 | 900 V Polar HiPerFET™ Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | Polar™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 56A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 135m옴 @ 28A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 3mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 375nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 23000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1000W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 10 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXFN56N90P | |
관련 링크 | IXFN5, IXFN56N90P Datasheet, IXYS Distributor |
![]() | 600S2R7AW250XT | 2.7pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 600S2R7AW250XT.pdf | |
![]() | TACH106M010ATA | 10µF Molded Tantalum Capacitors 10V 0805 (2012 Metric) 5 Ohm 0.079" L x 0.053" W (2.00mm x 1.35mm) | TACH106M010ATA.pdf | |
![]() | HVA-1/4 | FUSE CRTRDGE 250MA 1KVAC NON STD | HVA-1/4.pdf | |
![]() | 1N4946GP-M3/73 | DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL | 1N4946GP-M3/73.pdf | |
![]() | 1840-12G | 1.5µH Unshielded Molded Inductor 755mA 485 mOhm Max Axial | 1840-12G.pdf | |
![]() | H11AA2 | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-DIP | H11AA2.pdf | |
![]() | ERJ-S1DJ104U | RES SMD 100K OHM 5% 3/4W 2010 | ERJ-S1DJ104U.pdf | |
![]() | PTN1206E1170BST1 | RES SMD 117 OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E1170BST1.pdf | |
![]() | PTN1206E6193BST1 | RES SMD 619K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E6193BST1.pdf | |
![]() | RCP2512W220RJS2 | RES SMD 220 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512W220RJS2.pdf | |
![]() | FW30A8R20JA | RES 8.2 OHM 3W 5% AXIAL | FW30A8R20JA.pdf | |
![]() | CP000341R00JB14 | RES 41 OHM 3W 5% AXIAL | CP000341R00JB14.pdf |