창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFQ12N80P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXF(H,Q,V)12N80P/PS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, PolarHT™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 2.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 51nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 360W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3P | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXFQ12N80P | |
관련 링크 | IXFQ1, IXFQ12N80P Datasheet, IXYS Distributor |
C410C102K5H5TAAUTO | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 X8R 축방향 0.095" Dia x 0.170" L(2.31mm x 4.32mm) | C410C102K5H5TAAUTO.pdf | ||
VJ0402D9R1CXCAC | 9.1pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D9R1CXCAC.pdf | ||
155.0892.6201 | FUSE SQ 200A 58VDC RECTANGULAR | 155.0892.6201.pdf | ||
SMAJ70AE3/TR13 | TVS DIODE 70VWM 113VC SMAJ | SMAJ70AE3/TR13.pdf | ||
1N5929BG | DIODE ZENER 15V 3W AXIAL | 1N5929BG.pdf | ||
XTEAWT-00-0000-00000LBE8 | LED Lighting XLamp® XT-E White, Warm 2700K 2.85V 350mA 115° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | XTEAWT-00-0000-00000LBE8.pdf | ||
4232-152J | 1.5µH Unshielded Wirewound Inductor 455mA 1 Ohm Max 2-SMD | 4232-152J.pdf | ||
2512R-683K | 68µH Unshielded Inductor 281mA 5.1 Ohm Max 2-SMD | 2512R-683K.pdf | ||
VSSR2403330GTF | RES ARRAY 12 RES 33 OHM 24SSOP | VSSR2403330GTF.pdf | ||
CMF60243K00FKEK | RES 243K OHM 1W 1% AXIAL | CMF60243K00FKEK.pdf | ||
TA205PA120RJ | RES 120 OHM 5W 5% RADIAL | TA205PA120RJ.pdf | ||
MN63Y3214N1 | RFID Tag Read/Write 8kB (User) Memory 13.56MHz ISO 14443 Encapsulated | MN63Y3214N1.pdf |