창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFR30N60P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXF(C,R)30N60P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, PolarHT™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 250m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 85nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3820pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 166W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | ISOPLUS247™ | |
공급 장치 패키지 | ISOPLUS247™ | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXFR30N60P | |
관련 링크 | IXFR3, IXFR30N60P Datasheet, IXYS Distributor |
C0402C919K5GACTU | 9.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C919K5GACTU.pdf | ||
CC0805GRNPO9BN122 | 1200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CC0805GRNPO9BN122.pdf | ||
1825GC102MAT1A\SB | 1000pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825GC102MAT1A\SB.pdf | ||
DSTF2060C | DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB | DSTF2060C.pdf | ||
LQP02HQ18NH02E | 18nH Unshielded Thin Film Inductor 160mA 1.63 Ohm Max 01005 (0402 Metric) | LQP02HQ18NH02E.pdf | ||
CR105NP-6R3MC | 6.3µH Unshielded Inductor 3.6A 26 mOhm Max Nonstandard | CR105NP-6R3MC.pdf | ||
RT1206BRE074K3L | RES SMD 4.3K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRE074K3L.pdf | ||
CRCW12101R91FKEAHP | RES SMD 1.91 OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW12101R91FKEAHP.pdf | ||
RP73D1J26R7BTG | RES SMD 26.7 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RP73D1J26R7BTG.pdf | ||
RSF1GT56R0 | RES MO 1W 56 OHM 2% AXIAL | RSF1GT56R0.pdf | ||
Y00758K00000B9L | RES 8K OHM 0.3W 0.1% RADIAL | Y00758K00000B9L.pdf | ||
Y00897K87000FR13L | RES 7.87K OHM 0.6W 1% RADIAL | Y00897K87000FR13L.pdf |