IXYS IXFT18N100Q3

IXFT18N100Q3
제조업체 부품 번호
IXFT18N100Q3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
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내부 부품 번호EIS-IXFT18N100Q3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IXFx18N100Q3
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체IXYS
계열HiPerFET™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)1000V(1kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C18A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs660m옴 @ 9A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)6.5V @ 4mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs90nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds4890pF @ 25V
전력 - 최대830W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA
공급 장치 패키지TO-268
표준 포장 30
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IXFT18N100Q3
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