창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFT69N30P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXF(H,T)69N30P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | PolarHT™ HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 69A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 49m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4960pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 500W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
공급 장치 패키지 | TO-268 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXFT69N30P | |
관련 링크 | IXFT6, IXFT69N30P Datasheet, IXYS Distributor |
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![]() | SC1812-4R7 | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 1.32A 195 mOhm Max Nonstandard | SC1812-4R7.pdf | |
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![]() | RR01J4K7TB | RES 4.70K OHM 1W 5% AXIAL | RR01J4K7TB.pdf | |
![]() | CMF65681R00FKR6 | RES 681 OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF65681R00FKR6.pdf | |
![]() | CMF65475K00BHR6 | RES 475K OHM 1.5W 0.1% AXIAL | CMF65475K00BHR6.pdf |