창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTA3N110 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXT(A,P)3N110/120 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1100V(1.1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1350pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(IXTA) | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXTA3N110 | |
관련 링크 | IXTA, IXTA3N110 Datasheet, IXYS Distributor |
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![]() | 8Y-24.000MEEQ-T | 24MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Y-24.000MEEQ-T.pdf | |
![]() | 416F40625CDR | 40.61MHz ±20ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40625CDR.pdf | |
![]() | BAR43SFILM | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3 | BAR43SFILM.pdf | |
![]() | ISC1812BN391K | 390µH Shielded Wirewound Inductor 92mA 8.2 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812BN391K.pdf | |
![]() | MDR-4091 | RELAY | MDR-4091.pdf | |
![]() | CRCW120656R0FKEA | RES SMD 56 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW120656R0FKEA.pdf | |
![]() | RC0603FR-078R66L | RES SMD 8.66 OHM 1% 1/10W 0603 | RC0603FR-078R66L.pdf | |
![]() | SM2615FTR115 | RES SMD 0.115 OHM 1% 1W 2615 | SM2615FTR115.pdf | |
![]() | CMF6013K000FHEA | RES 13K OHM 1W 1% AXIAL | CMF6013K000FHEA.pdf | |
![]() | KAF-0261-AAA-CP-BA | CMOS Image Sensor 512H x 512V 20µm x 20µm 24-CDIP | KAF-0261-AAA-CP-BA.pdf |