창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTH120N15T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
표준 포장 | 30 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXTH120N15T | |
관련 링크 | IXTH1, IXTH120N15T Datasheet, IXYS Distributor |
![]() | RDE5C1H182J0S1H03A | 1800pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) | RDE5C1H182J0S1H03A.pdf | |
![]() | GCM1885C1H201JA16D | 200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GCM1885C1H201JA16D.pdf | |
![]() | D103K43Y5PH6TJ5R | 10000pF 100V 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.433" Dia(11.00mm) | D103K43Y5PH6TJ5R.pdf | |
![]() | VJ0805D390JLPAJ | 39pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D390JLPAJ.pdf | |
![]() | P6SMB47CA-E3/52 | TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC SMB | P6SMB47CA-E3/52.pdf | |
![]() | P6KE160CA | TVS DIODE 136VWM 219VC DO15 | P6KE160CA.pdf | |
![]() | 2SD1766T100Q | TRANS NPN 32V 2A SOT-89 | 2SD1766T100Q.pdf | |
![]() | IXTP54N30T | MOSFET N-CH 300V 54A TO-220 | IXTP54N30T.pdf | |
![]() | 2890R-34K | 39µH Unshielded Molded Inductor 550mA 650 mOhm Max Axial | 2890R-34K.pdf | |
![]() | CRCW25129R10FNEG | RES SMD 9.1 OHM 1% 1W 2512 | CRCW25129R10FNEG.pdf | |
![]() | RG2012N-622-B-T5 | RES SMD 6.2K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012N-622-B-T5.pdf | |
![]() | HSCDANN001PGSA5 | Pressure Sensor 1 PSI (6.89 kPa) Vented Gauge Male - 0.19" (4.93mm) Tube 12 b 8-DIP (0.524", 13.30mm), Top Port | HSCDANN001PGSA5.pdf |