IXYS IXTH12N100Q

IXTH12N100Q
제조업체 부품 번호
IXTH12N100Q
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
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IXTH12N100Q 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IXTH12N100Q
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
표준 포장 30
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체IXYS
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)1000V(1kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C12A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs-
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대300W
작동 온도-
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-247-3
공급 장치 패키지TO-247(IXTH)
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IXTH12N100Q
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