창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTH12N65X2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXTx12N65X2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 180W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXTH12N65X2 | |
관련 링크 | IXTH1, IXTH12N65X2 Datasheet, IXYS Distributor |
![]() | EET-HC2C152CA | 1500µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 133 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | EET-HC2C152CA.pdf | |
![]() | UMP1HR47MDD1TE | 0.47µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UMP1HR47MDD1TE.pdf | |
![]() | VJ0603D300JLBAJ | 30pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D300JLBAJ.pdf | |
![]() | SQCB7M1R1BATME | 1.1pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB7M1R1BATME.pdf | |
![]() | SC3DF-560 | 56µH Unshielded Wirewound Inductor 520mA 1.52 Ohm Max Nonstandard | SC3DF-560.pdf | |
![]() | SP1812-683G | 68µH Shielded Inductor 275mA 2.7 Ohm Max Nonstandard | SP1812-683G.pdf | |
![]() | L225J150E | RES CHAS MNT 150 OHM 5% 225W | L225J150E.pdf | |
![]() | CRCW201075R0FKTF | RES SMD 75 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW201075R0FKTF.pdf | |
![]() | ERJ-S1DF1240U | RES SMD 124 OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF1240U.pdf | |
![]() | Y162622K0000T9W | RES SMD 22K OHM 0.01% 0.3W 1506 | Y162622K0000T9W.pdf | |
![]() | Y006650R0000F0L | RES 50 OHM 10W 1% RADIAL | Y006650R0000F0L.pdf | |
![]() | B57891M153K | NTC Thermistor 15k Disc, 3.5mm Dia x 3.5mm W | B57891M153K.pdf |